[发明专利]一种集成结势垒肖特基的MOSFET器件在审
| 申请号： | 202210047638.5 | 申请日： | 2022-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN114400256A | 公开（公告）日： | 2022-04-26 |
| 发明（设计）人： | 于霄恬 | 申请（专利权）人： | 海科（嘉兴）电力科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙) 11716 | 代理人： | 吴绍群 |
| 地址： | 314006 浙江省嘉兴市南湖区大桥镇*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种集成结势垒肖特基的MOSFET器件，属于半导体制造领域，用于解决嵌入式的集成结势垒肖特基的MOSFET元胞无法灵活控制MOSFET器件中肖特基的占比的技术问题。MOSFET器件包括：外延层，以及外延层的表面排布的若干MOSFET元胞与结势垒肖特基JBS元胞；MOSFET元胞与JBS元胞按照预设比例进行排布；每个MOSFET元胞均至少包括阱区、源极区域以及高掺杂P型区域；每个JBS元胞均包括多层环状高掺杂P型区域，以及每层所述环状高掺杂P型之间形成的肖特基区域；JFET区域的离子掺杂浓度大于或等于外延层的离子掺杂浓度，JFET区域的宽度以及每层环状高掺杂P型区域的间距均在预设区间内取值，以使MOSFET器件具有较小的导通压降以及较强的电场屏蔽能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 结势垒肖特基 mosfet 器件 | ||
【主权项】：
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