[发明专利]一种三维存储器件、制造方法及存储器系统在审
| 申请号： | 202210049580.8 | 申请日： | 2022-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN114551231A | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 韩玉辉;张坤 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L27/1157;H01L27/11582;H01L29/423;G11C5/02;G11C5/06 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 张雪;张颖玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请实施例公开了一种三维存储器件、制造方法及存储器系统，所述方法包括：提供基底；基底包括衬底、位于衬底上由栅极层和绝缘层交替层叠的堆叠结构和贯穿所述堆叠结构的沟道结构；所述栅极层包括位于所述堆叠结构顶部的顶部选择栅极层；所述沟道结构包括沿径向从外向内依次排列的存储器层、沟道层和沟道氧化物；形成贯穿所述顶部选择栅极层的多个顶部选择栅极切口；对所述顶部选择栅极切口进行填充以形成顶部选择栅极切线；所述顶部选择栅极切线将所述堆叠结构分为多个存储区；其中，所述顶部选择栅极切线部分地穿过第一沟道结构，并与所述第一沟道结构中的所述沟道氧化物接触；所述第一沟道结构为位于不同所述存储区中且相邻的沟道结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三维 存储 器件 制造 方法 存储器 系统 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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