[发明专利]半导体三极管引线支架氧化保护装置有效
| 申请号： | 202210051883.3 | 申请日： | 2022-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN114373704B | 公开（公告）日： | 2022-07-05 |
| 发明（设计）人： | 刘特骥;刘特鹏;刘子媛 | 申请（专利权）人： | 揭阳市科和电子实业有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/687 |
| 代理公司： | 北京子焱知识产权代理事务所(普通合伙) 11932 | 代理人： | 王倩 |
| 地址： | 522000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了半导体三极管引线支架氧化保护装置，涉及氧化保护技术领域，解决了现有喷射氮气时存在浪费的问题，包括加工平台，加工平台上等距固定有多个垫条，还包括滑动插接于多个垫条上的两个L型板，且两个L型板内等距开有插入口，L型板内对应插入口位置处开有安装口，且安装口内安装有密闭件，两个L型板之间螺纹插接有两个双向螺纹杆，且两个双向螺纹杆外端安装有驱动机构，两个双向螺纹杆两端通过连接架安装于加工平台两端，加工平台底部安装有回收机构，本发明通过优化现有的加工平台，通过增设L型板和密封板的相互配合，使得L型板打开和闭合时，能够同步对安放区域内气体的补充和回收，提高气体的利用效果，减少气体的浪费。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 三极管 引线 支架 氧化 保护装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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