[发明专利]一种平面型VDMOS器件双栅极结构的制作方法在审
| 申请号： | 202210051895.6 | 申请日： | 2022-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN114373676A | 公开（公告）日： | 2022-04-19 |
| 发明（设计）人： | 顾昀浦;黄健;孙闫涛;张楠;宋跃桦;刘静;吴平丽 | 申请（专利权）人： | 捷捷微电（上海）科技有限公司;江苏捷捷微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/331;H01L21/336 |
| 代理公司： | 广州京诺知识产权代理有限公司 44407 | 代理人： | 于睿虬 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新区中国(上海)自由贸*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种平面型VDMOS器件双栅极结构的制作方法，在外延层表面形成ONO结构；在第二氧化层上方设置第一掩膜，第一掩膜的设置位置与双栅极的位置相匹配；在第一掩膜下方留有的第二氧化层为双栅极间隔氧化层；在第二氧化层和双栅极间隔氧化层上方淀积多晶硅；回刻多晶硅，使双栅极间隔氧化层的表面外露，在双栅极间隔氧化层的两侧留有多晶硅侧墙，多晶硅侧墙为平面型VDMOS器件的双栅极结构。本发明的双栅极间隔氧化层在双栅极结构形成之前，先填充了双栅极之间的间隔区域，能够精确控制双栅极结构的位置，还能够实现体区注入成型的自对准，节省了工艺步骤，节约了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 平面 vdmos 器件 栅极 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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