[发明专利]芯片基微电化学池原位多场分析测试装置、方法及应用有效

专利信息
申请号: 202210052727.9 申请日: 2022-01-18
公开(公告)号: CN114384142B 公开(公告)日: 2023-07-07
发明(设计)人: 官操;张平婷;刘向晔;陈继鹏 申请(专利权)人: 西北工业大学
主分类号: G01N27/416 分类号: G01N27/416;G01N27/30;G01N21/29;G01N21/65;B01L3/00
代理公司: 西安凯多思知识产权代理事务所(普通合伙) 61290 代理人: 云燕春
地址: 710072 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明一种芯片基微电化学池原位多场分析测试装置、方法及应用,属于化学、材料和能源的原位电学/电化学/光学测试和机理研究技术领域;包括反应池主体、带孔透明板、样品台;反应池主体的环形槽内盛有电解液,带孔透明板盖于电解液槽上,其中心孔作为观察窗;通过样品台将芯片基微电化学池压置于带孔透明板的下表面,两者之间通过疏水垫圈;参比电极和对电极分别通过防水穿线螺栓安装于参比电极连接孔和对电极连接孔内,其一端均与电解液接触,另一端外接电化学工作站;导线一端与芯片基微电化学池的样品微区连接,另一端外接电化学工作站。本发明能够同时进行原位电学/电化学/光学等多场分析,节省时间,操作简便,测试成功率高。
搜索关键词: 芯片 电化学 原位 分析 测试 装置 方法 应用
【主权项】:
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