[发明专利]一种改善沟槽型功率管终端耐受电压的方法及器件在审

专利信息
申请号: 202210053228.1 申请日: 2022-01-18
公开(公告)号: CN114256076A 公开(公告)日: 2022-03-29
发明(设计)人: 陈佳旅 申请(专利权)人: 深圳市美浦森半导体有限公司
主分类号: H01L21/336 分类号: H01L21/336;H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518000 广东省深圳市南山区招*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明涉及一种改善沟槽型功率管终端耐受电压的方法及器件,通过沟槽刻蚀清洗完成后,用炉管工艺做一次牺牲氧化层,具体为使用光刻工艺将晶胞区域覆盖,将终端区域显影打开;使用干法刻蚀工艺将终端区域沟槽底部的牺牲氧化层刻蚀掉;使用湿法刻蚀工艺将终端区域沟槽底部没有牺牲氧化层保护的硅刻蚀掉;使用刻蚀工艺将晶圆上的光刻胶去掉;能够在不影响沟槽型功率管电阻性能的情况下,极大的提高功率管的击穿电压,提高功率管的整体性能。与现有工艺相比,虽然增加了工艺步骤,但是能够给极大的提升终端的击穿电压,使器件的性能参数不再受限于终端击穿电压。
搜索关键词: 一种 改善 沟槽 功率管 终端 耐受 电压 方法 器件
【主权项】:
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