[发明专利]一种改善沟槽型功率管终端耐受电压的方法及器件在审
申请号: | 202210053228.1 | 申请日: | 2022-01-18 |
公开(公告)号: | CN114256076A | 公开(公告)日: | 2022-03-29 |
发明(设计)人: | 陈佳旅 | 申请(专利权)人: | 深圳市美浦森半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336;H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518000 广东省深圳市南山区招*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种改善沟槽型功率管终端耐受电压的方法及器件,通过沟槽刻蚀清洗完成后,用炉管工艺做一次牺牲氧化层,具体为使用光刻工艺将晶胞区域覆盖,将终端区域显影打开;使用干法刻蚀工艺将终端区域沟槽底部的牺牲氧化层刻蚀掉;使用湿法刻蚀工艺将终端区域沟槽底部没有牺牲氧化层保护的硅刻蚀掉;使用刻蚀工艺将晶圆上的光刻胶去掉;能够在不影响沟槽型功率管电阻性能的情况下,极大的提高功率管的击穿电压,提高功率管的整体性能。与现有工艺相比,虽然增加了工艺步骤,但是能够给极大的提升终端的击穿电压,使器件的性能参数不再受限于终端击穿电压。 | ||
搜索关键词: | 一种 改善 沟槽 功率管 终端 耐受 电压 方法 器件 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市美浦森半导体有限公司,未经深圳市美浦森半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202210053228.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种升降机用差速器
- 下一篇:成像控制器和成像系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造