[发明专利]移除薄膜中的杂质的方法以及衬底处理设备在审
| 申请号： | 202210058729.9 | 申请日： | 2022-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN114823417A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 崔圭鎭;崔圭镐;黄相赫 | 申请（专利权）人： | 株式会社尤金科技 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/314;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 钭飒飒;臧建明 |
| 地址： | 韩国京畿道龙*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种移除薄膜中的杂质的方法以及一种衬底处理设备。移除薄膜中的杂质的方法包括以下步骤：在工艺腔室中提供上面形成有薄膜的衬底；将与薄膜中所包含的杂质发生反应以及结合的第一气体供应到工艺腔室中；在停止第一气体的供应之后，通过对工艺腔室的内部进行减压来排出杂质与第一气体的结合产物；通过将不同于第一气体的第二气体供应到工艺腔室中来将薄膜固化；以及停止第二气体的供应且将剩余的第二气体从工艺腔室的内部排出。本发明有效地移除薄膜中所包含的杂质。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 中的 杂质 方法 以及 衬底 处理 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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