[发明专利]一种电路用氮化硅陶瓷基片及其制备方法在审
| 申请号： | 202210058831.9 | 申请日： | 2022-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN114591090A | 公开（公告）日： | 2022-06-07 |
| 发明（设计）人： | 杨大胜;周和平;施纯锡 | 申请（专利权）人： | 福建华清电子材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/593 | 分类号： | C04B35/593;C04B35/622;C04B35/626;C04B35/645 |
| 代理公司： | 泉州市诚得知识产权代理事务所(普通合伙) 35209 | 代理人： | 林小彬 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： |
本发明涉及陶瓷基片领域，提供一种电路用氮化硅陶瓷基片及其制备方法,解决采用现有技术的制备方法无法获得尺寸精度高、韧性高、热导率高的氮化硅陶瓷基板的问题；包括以下制备步骤:（1）流延浆料配制；（2）流延成型：将流延浆料通过流延机制备成流延素坯带；（3）冲切成形：将流延素坯带冲切成形为具有一定形状和尺寸的素坯片；（4）叠片；（5）排胶；（6）高温气压烧结；其中，所述α‑Si |
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| 搜索关键词： | 一种 电路 氮化 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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