[发明专利]一种SOT-MRAM磁隧道结的制备方法在审
| 申请号： | 202210060081.9 | 申请日： | 2022-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN114420837A | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | 张丛;刘宏喜;陈文静;王嘉毅;曹凯华;王戈飞 | 申请（专利权）人： | 致真存储（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L43/08;H01L27/22 |
| 代理公司： | 北京墨丘知识产权代理事务所(普通合伙) 11878 | 代理人： | 唐忠仙;谷轶楠 |
| 地址： | 100191 北京市海淀区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SOT‑MRAM磁隧道结的制备方法，包括以下步骤：提供一衬底，在衬底上依次层叠形成SOT层、自由层、隧道结阻挡层、参考层、钉扎层、覆盖层、硬掩模层；光刻，图形化硬掩模层；以接近法向的入射角进行逐层刻蚀，直到参考层被完全刻蚀；以更大的入射角度进行清理刻蚀，去除侧壁上的再沉积物，直到隧道结阻挡层被全部刻蚀；进行侧壁钝化处理；重复步骤S4和S5，直到SOT层上表面自由层完全被刻蚀为止，最终形成SOT‑MRAM磁隧道结结构。本发明通过SOT层上的刻蚀及侧壁清理，减少或避免MTJ的金属再沉积造成的短路和损伤；增加侧壁钝化处理过程，进一步消除侧壁导电物引起的短路问题，提高良品率及可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sot mram 隧道 制备 方法 | ||
【主权项】：
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