[发明专利]一种基于残差网络的光刻掩模优化方法在审

专利信息
申请号: 202210062320.4 申请日: 2022-01-19
公开(公告)号: CN114326329A 公开(公告)日: 2022-04-12
发明(设计)人: 许爽;肖再南;唐青;曹唯一;陈志强;李思萌;林馨怡 申请(专利权)人: 武汉科技大学
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 代理人: 张晓博
地址: 430081 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种基于残差网络的光刻掩模优化方法,通过光刻逆向优化过程对残差网络进行训练,优化残差网络参数,随后将初始掩模图形输入网络,并将优化结果输入正向光刻模型,得到晶圆曝光图像。本发明方法通过对残差网络进行逆向优化训练,减少掩模优化迭代次数,大幅度提升深度网络准确率,避免了网络层数增加产生的梯度消失的问题,实现了对光刻生成图像的畸变校正。
搜索关键词: 一种 基于 网络 光刻 优化 方法
【主权项】:
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