[发明专利]波导对接结构生长方法、铝量子阱激光器及其制备方法有效
| 申请号： | 202210067480.8 | 申请日： | 2022-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN114540785B | 公开（公告）日： | 2022-12-02 |
| 发明（设计）人： | 张海超;师宇晨;穆瑶 | 申请（专利权）人： | 陕西源杰半导体科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/02 | 分类号： | C23C16/02;C23C16/04;C23C16/30;C23C16/44;H01S5/20;H01S5/343 |
| 代理公司： | 西安迪业欣知识产权代理事务所(普通合伙) 61278 | 代理人： | 史冬梅 |
| 地址： | 712000 陕西省西安市西咸新*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种波导对接结构生长方法、铝量子阱激光器及其制备方法，属于半导体激光器芯片制备技术领域，能够解决刻蚀后AlInGaAs有源区暴露在空气中表面容易氧化、且掩模上容易形成多晶的问题。所述方法包括：将有源层端部暴露在空气中的含铝晶片放入反应腔内部，并在第一温度时通入含P元素的化合物；升温至第二温度，烘烤晶片第一时长；以第一流量通入含卤素的化合物气体，以刻蚀掉有源层端部的氧化物，并通入含In元素的金属有机化合物，以在有源层刻蚀区域对应的缓冲层上生长InP平直层；将含卤素的化合物气体的流量减小至第三流量，并通入含Ga元素的金属有机化合物和含As元素的化合物，以在InP平直层上生长InGaAsP波导层。本发明用于制备激光器。 | ||
| 搜索关键词： | 波导 对接 结构 生长 方法 量子 激光器 及其 制备 | ||
【主权项】：
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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