[发明专利]一种建立缝洞型储层电导率模型的方法及应用

摘要

本发明提供一种建立缝洞型储层电导率模型的方法与应用，其中方法，包括：步骤1.经过理论推导，溶洞储层电导率表达式：式中，σbv为溶洞储层的电导率，σm为储层基质电导率，σv为溶洞电导率，Φv为溶洞孔隙度，Φf为裂缝孔隙度；步骤2.缝洞型储层中，用θ表示裂缝倾角，当裂缝为水平裂缝时θ＝0°，缝洞型储层的横向电导率视为溶洞储层电导率与裂缝电导率并联，缝洞型储层的垂向电导率视为溶洞储层电导率与裂缝电导率串联。本发明相较于现有技术，从理论上给出了缝洞型储层的双侧向电导率模型，相较于溶洞型储层、裂缝型储层的单一孔隙体系储层的电导率模型，本方法具有更广的适应性。