[发明专利]一种提高LTO膜厚均匀性的APCVD成膜加工工艺

摘要

本发明公开了一种提高LTO膜厚均匀性的APCVD成膜加工工艺，其加工工艺包括以下步骤：S1、首先需要将APCVD设备管道进行实时连接组合，并且在APCVD设备内通入一定量的硅烷与氧气，通过进行加热发生化学反应形成二氧化硅薄膜，通过对反应区域温度的实时控制，可以有效的影响不同位置长膜速率，进而起到改善薄膜均匀性的作用，S2、然后由于设备本身冷却水分布以及设备构造设计的原因，因此反应腔体内中部实际温度最高，并且温度设置需低于两侧，但是由于其处于排气出口位置，其实际的温度需高于两侧的温度，有效的实现了硅片膜厚均匀性的改善，有助于更好的起到薄膜的防止自掺杂的作用，同时使其外观更加符合要求。