[发明专利]一种准二维薄膜制备方法在审
| 申请号： | 202210072209.3 | 申请日： | 2022-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN114497431A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 张宇;郜艳波;白雪;于伟泳;陆敏;武振楠;暴欣宇 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56;C09K11/66;C09K11/02 |
| 代理公司： | 深圳众邦专利代理有限公司 44545 | 代理人： | 李茂松 |
| 地址： | 130012 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种准二维薄膜制备方法，属于发光二极管和显示技术领域，解决了现有准二维薄膜制的工艺复杂和效率低的问题，其技术要点是：包括所述的钙钛矿薄膜是由三维钙钛矿纳米晶和准二维钙钛矿薄膜组成，其中三维钙钛矿纳米晶表面由合适长链有机配体进行改性，以适应薄膜内部的级联能量传递过程，通过在反溶剂中引入带有特定基团的三维钙钛矿纳米晶，在薄膜制备过程中纳米晶可以作为结晶种子，调控薄膜的结晶生长动力学过程，钝化内部缺陷，降低薄膜内部本身的非辐射复合机率，又可以构建小n相到三维钙钛矿纳米晶的额外载流子传输通道，促进光生载流子辐射复合有效地提高薄膜的光发射效率，具有制备工艺简单和效率高的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二维 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于吉林大学，未经吉林大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210072209.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
