[发明专利]半导体装置、半导体存储装置及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202210077247.8 | 申请日： | 2022-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN115863427A | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | 石丸友纪;森伸二;松尾和展;泽敬一;虎谷健一郎 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/24;H10B12/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 白丽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明实施方式的半导体装置具备：第一电极；第二电极；第一氧化物半导体层，其设置于第一电极与第二电极之间，包含In、Zn及第一金属元素，第一金属元素为选自由Ga、Mg及Mn构成的组中的至少一种金属元素；第二氧化物半导体层，其设置于第一氧化物半导体层与第二电极之间，包含In、Zn及第一金属元素；第三氧化物半导体层，其设置于第一氧化物半导体层与第二氧化物半导体层之间，包含In、Zn及第二金属元素，第二金属元素为选自由Al、Hf、La、Sn、Ta、Ti、W、Y及Zr构成的组中的至少一种金属元素；栅极电极，其与第三氧化物半导体层相向；以及栅极绝缘层，其设置于第三氧化物半导体层与栅极电极之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 存储 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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