[发明专利]半导体器件和用于形成半导体器件的方法在审
| 申请号： | 202210078806.7 | 申请日： | 2022-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN115224114A | 公开（公告）日： | 2022-10-21 |
| 发明（设计）人： | 刘世谦;张耀中;蔡俊琳 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/45;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明的各个实施例针对二维载气(2DCG)半导体器件，2DCG半导体器件包括具有多个突起的欧姆源电极/漏电极，多个突起由间隙分隔开并且从欧姆源电极/漏电极的底面突出。欧姆源电极/漏电极位于半导体膜上面，并且突起从底面延伸至半导体膜中。此外，欧姆源电极/漏电极与也位于半导体膜上面的另一个欧姆源电极/漏电极分隔开。半导体膜包括垂直堆叠并且在异质结处直接接触的沟道层和阻挡层。沟道层容纳2DCG，2DCG沿着异质结延伸并且欧姆耦接至欧姆源电极/漏电极和另一个欧姆源电极/漏电极。栅电极位于欧姆源电极/漏电极和另一个源电极/漏电极之间的半导体膜上面。根据本申请的其他实施例，还提供了用于形成半导体器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 用于 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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