[发明专利]一种基于第一性原理计算设计通过低价金属离子掺杂限制金属氧化物团聚的方法有效

专利信息
申请号: 202210079503.7 申请日: 2022-01-24
公开(公告)号: CN114368778B 公开(公告)日: 2022-07-01
发明(设计)人: 邵文柱;陈梓尧;甄良 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: C01G9/03 分类号: C01G9/03;B82Y40/00;B82Y30/00;G16C20/30;G16C20/90
代理公司: 哈尔滨华夏松花江知识产权代理有限公司 23213 代理人: 侯静
地址: 150001 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 一种基于第一性原理计算设计通过低价金属离子掺杂限制金属氧化物团聚的方法,涉及一种通过金属离子掺杂限制金属氧化物团聚的方法。本发明是要解决现有的氧化物团聚的技术问题。本发明提出采用的第一性原理计算,可从原子尺度,基于元素特性和晶体结构,计算氧化物表面对羟基的吸附能力。并对元素间的电子轨道杂化,电荷转移等进行定量分析,从而揭示金属离子掺杂改性氧化物吸附羟基的机理,设计可调控氧化物团聚特性的金属离子掺杂成分。
搜索关键词: 一种 基于 第一性 原理 计算 设计 通过 低价 金属 离子 掺杂 限制 氧化物 团聚 方法
【主权项】:
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