[发明专利]一种太阳能叠层电池制备方法及太阳能叠层电池在审
申请号: | 202210084664.5 | 申请日: | 2022-01-25 |
公开(公告)号: | CN114530524A | 公开(公告)日: | 2022-05-24 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 深圳黑晶光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L51/48;H01L31/0216;H01L31/068;H01L51/42;H01L27/28 |
代理公司: | 广东广盈专利商标事务所(普通合伙) 44339 | 代理人: | 李俊 |
地址: | 518101 广东省深圳市宝安区新安街*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种太阳能叠层电池制备方法及太阳能叠层电池,该太阳能叠层电池制备方法包括:以具有多晶硅叠氧化硅表面结构的硅太阳能电池作为所述叠层电池的硅底电池;清洗所述硅底电池;在所述硅底电池的顶面上沉积隧穿层;在所述隧穿层顶面制作钙钛矿顶电池,所述钙钛矿顶电池包括依次沉积的第一载流子传输层、钙钛矿吸收层、第二载流子传输层、缓冲层、透明窗口层和顶电极,得到所述太阳能叠层电池。该太阳能叠层电池制备方法选取了隧穿钝化接触poly‑Si/SiOx结构作为隧穿层接触面,结合基于PIN结构的钙钛矿顶电池,能够很好的实现钙钛矿顶电池与硅底电池的隧穿钝化接触,从而获得高效率的钙钛矿‑晶体硅叠层太阳能电池。 | ||
搜索关键词: | 一种 太阳能 电池 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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