[发明专利]一种获得低损耗Si上GaN基材料的方法及射频器件在审
| 申请号： | 202210084709.9 | 申请日： | 2022-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN116544100A | 公开（公告）日： | 2023-08-04 |
| 发明（设计）人： | 杨学林;沈波;张立胜;许福军 | 申请（专利权）人： | 北京中博芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/20;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 101300 北京市顺*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种获得低损耗Si上GaN基材料的方法，预先在高阻Si衬底上通过物理气相沉积(PVD)生长一层溅射的AlN薄膜，随后在PVD‑AlN薄膜上采用MOCVD进行后续GaN基材料的外延生长。本发明利用PVD工艺低温快生长速率的优势削弱Al扩散行为，并且使Si衬底被AlN覆盖，从而减少反应室在前一次外延生长过程中残留的Al和/或Ga向Si衬底的扩散，因此起到降低Si衬底中的Al和/或Ga杂质浓度、降低损耗的作用，无需生长三元合金过渡层，有效解决Si上GaN在射频器件应用中面临的射频损耗问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 获得 损耗 si gan 基材 方法 射频 器件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
