[发明专利]一种SOT-MRAM器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202210085736.8 | 申请日： | 2022-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN114497361A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 张丛;刘宏喜;陈文静;王嘉毅;曹凯华;王戈飞 | 申请（专利权）人： | 致真存储（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/02;H01L43/12;H01L27/22 |
| 代理公司： | 北京墨丘知识产权代理事务所(普通合伙) 11878 | 代理人： | 唐忠仙;谷轶楠 |
| 地址： | 100191 北京市海淀区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SOT‑MRAM器件的形成方法，包括以下步骤：提供一衬底，在衬底上沉积SOT层；图形化磁隧道结图案到SOT层上方的光刻胶；对光刻胶表面进行固化处理，在SOT层上沉积MTJ堆叠层；采用剥离工艺去除SOT层上的光刻胶；在SOT层和MTJ堆叠层上沉积介质层，对介质层进行图形化处理，刻蚀介质层，将所需图案转移到介质层；在图形化处理后的介质层上沉积电极层，对电极层进行图形化处理，刻蚀后形成SOT‑MRAM器件。本发明通过图形化光刻胶后沉积膜堆的方式，避免了对SOT层蚀刻而引起的器件开路，优化MTJ隧道结的侧壁形貌，消除了刻蚀引起的侧壁损伤及缺陷，提高了SOT‑MRAM器件的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sot mram 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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