[发明专利]一种基于碳纳米管通道的纳流控芯片加工方法有效

专利信息
申请号: 202210089961.9 申请日: 2022-01-25
公开(公告)号: CN114433261B 公开(公告)日: 2023-04-18
发明(设计)人: 彭冉;李橦;王贺嘉;宋永欣;徐敏义;潘新祥;李冬青 申请(专利权)人: 大连海事大学
主分类号: B01L3/00 分类号: B01L3/00
代理公司: 大连东方专利代理有限责任公司 21212 代理人: 修睿;李洪福
地址: 116026 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明提供一种基于碳纳米管通道的纳流控芯片加工方法。包括:在除水的基底上旋涂一薄层光刻胶并加热使其固化;将碳纳米管薄层通过热释法转移至光刻胶薄层表面的预定位置;在光刻胶薄层表面旋涂另一层光刻胶将碳纳米管嵌入其中;加热使光刻胶溶剂挥发,之后进行光刻操作,在基底上加工开式微米通道系统,光刻操作后碳纳米管部分暴露在微流通道中;将通道中倒入液态PDMS将暴露在通道中的碳纳米管嵌入PDMS,将PDMS固化并剥离,获得带有碳纳米管通道的纳流控芯片基底;对PDMS表面进行等离子氧化处理,将其和S5中所述碳纳米管通道的纳流控芯片基底进行等离子表面氧化处理,最终进行芯片键合,获得基于碳纳米管构建的纳流控芯片。本发明完整性好、制作效率高。
搜索关键词: 一种 基于 纳米 通道 纳流控 芯片 加工 方法
【主权项】:
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