[发明专利]一种发光二极管及制作方法在审

专利信息
申请号: 202210092993.4 申请日: 2022-01-26
公开(公告)号: CN114551665A 公开(公告)日: 2022-05-27
发明(设计)人: 李良迁;杨琦;贾钊;胡加辉;金从龙;顾伟 申请(专利权)人: 江西兆驰半导体有限公司
主分类号: H01L33/06 分类号: H01L33/06;H01L33/00;H01L33/40
代理公司: 南昌旭瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 36150 代理人: 刘红伟
地址: 330000 江西省南昌市南*** 国省代码: 江西;36
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摘要: 发明提供一种发光二极管及制作方法,发光二极管包括包括外延层衬底、外延层、薄膜层和蓝宝石衬底,所述外延层外延生长在所述外延层衬底上,所述薄膜层沉积于所述外延层上,所述蓝宝石衬底贴合于所述薄膜层上,其中,所述薄膜层包括ITO薄膜和金属薄膜,所述ITO薄膜沉积于所述外延层上,所述金属薄膜中至少包括两种不相同的金属层,所述金属层依次沉积于所述ITO薄膜上,所述蓝宝石衬底上附着有所述金属薄膜中远离所述ITO薄膜一端相同金属材料的所述金属层,所述蓝宝石衬底上附着有所述金属层的一侧贴合于所述金属薄膜上。通过本发明可以有效解决了氧化物键合层与蓝宝石之间较难形成键合以及键合后结合力弱的问题。
搜索关键词: 一种 发光二极管 制作方法
【主权项】:
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