[发明专利]一种微压MEMS压力传感器芯片及制备方法在审
| 申请号： | 202210097212.0 | 申请日： | 2022-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN114414110A | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | 毕勤;刘晓宇 | 申请（专利权）人： | 无锡胜脉电子有限公司 |
| 主分类号： | G01L1/18 | 分类号： | G01L1/18;G01L9/06;B81B3/00;B81C1/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211 | 代理人： | 张勇 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市新吴*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种微压MEMS压力传感器芯片及制备方法，属于敏感元件与传感器领域。所述芯片包括：SOI硅基体，在所述SOI硅基体的下表面刻蚀背腔形成方形压力隔膜，所述压力隔膜的上表面与下表面设有相同的凸起，上下表面的凸起结构形成所述压力隔膜上的岛结构，并通过所述压力隔膜上表面的单梁结构连接。本发明通过单梁多岛的结构设计，解决了现有微压传感器芯片灵敏度和线性度较差的问题，经过与现有技术的对比，结果证明，本发明的微压传感器可以在较小的芯片面积下，同时得到更高的灵敏度和线性度；且本发明在尺寸设计上更加灵活，更易于集成，有利于缩减制备成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 压力传感器 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
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