[发明专利]一种光电集成器件及制备方法

摘要

本发明公开了一种光电集成器件及其制作方法，包括：多个有序排列的基本单元，所述基本单元包括多量子阱MicroLED和垂直结构GaN MOSFET；所述蓝宝石衬底的顶层设有键合介质层，所述蓝宝石衬底的底层为器件的出光面；所述多量子阱Micro LED设于键合介质层的顶层；所述垂直结构GaN MOSFET设于多量子阱Micro LED的上方，所述垂直结构GaN MOSFET的漏区与所述多量子阱Micro LED的N区通过共享二极管N‑GaN结构层串联；本发明的发光器件与驱动电子器件制作在同一块芯片上，不仅可利用现有的GaN工艺平台实现批量化制造，降低生产成本，还具备体积小、速度快、可靠性高的显著优势；GaN MOSFET采用新颖的垂直结构设计，可极大地缩短驱动晶体管的沟道长度，对提升集成器件的性能和集成度具有重要意义。