[发明专利]硅基纳米涂层的制备方法、硅基纳米涂层和印制电路板组件在审
申请号: | 202210099755.6 | 申请日: | 2022-01-27 |
公开(公告)号: | CN114438478A | 公开(公告)日: | 2022-05-06 |
发明(设计)人: | 谭健;杨福年;方石胜 | 申请(专利权)人: | 深圳市技高美纳米科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/505 | 分类号: | C23C16/505;C23C16/24;H05K3/28 |
代理公司: | 广东普润知识产权代理有限公司 44804 | 代理人: | 寇闯 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明适用于纳米涂层领域,提供了一种硅基纳米涂层的制备方法、硅基纳米涂层和印制电路板组件。该制备方法包括用乙烯基三乙氧基硅烷作为反应气体之一,通过等离子体增强化学气相沉积法在基材表面沉积纳米薄膜,所述等离子体增强化学气相沉积法包括步骤S1和S2,其中,步骤S1中真空度为25‑70mTorr,活性气体流量为80‑200sccm,中频射频电源功率为80‑200W;步骤S2中真空度为10‑30mTorr,乙烯基三乙氧基硅烷气体流量为10‑60sccm,活性气体流量为80‑200sccm中频射频电源功率为80‑200W。本发明通过设置硅基纳米涂层的制备方法中的工艺参数,提高了真空仓室中离子态反应气体的浓度,提高了反应气体的反应速率和反应率,有利于反应气体聚合反应反应充分,降低了制备硅基纳米涂层的成本。 | ||
搜索关键词: | 纳米 涂层 制备 方法 印制 电路板 组件 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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