[发明专利]硅基纳米涂层的制备方法、硅基纳米涂层和印制电路板组件在审

专利信息
申请号: 202210099755.6 申请日: 2022-01-27
公开(公告)号: CN114438478A 公开(公告)日: 2022-05-06
发明(设计)人: 谭健;杨福年;方石胜 申请(专利权)人: 深圳市技高美纳米科技有限公司
主分类号: C23C16/505 分类号: C23C16/505;C23C16/24;H05K3/28
代理公司: 广东普润知识产权代理有限公司 44804 代理人: 寇闯
地址: 518000 广东省深圳市宝安区*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明适用于纳米涂层领域,提供了一种硅基纳米涂层的制备方法、硅基纳米涂层和印制电路板组件。该制备方法包括用乙烯基三乙氧基硅烷作为反应气体之一,通过等离子体增强化学气相沉积法在基材表面沉积纳米薄膜,所述等离子体增强化学气相沉积法包括步骤S1和S2,其中,步骤S1中真空度为25‑70mTorr,活性气体流量为80‑200sccm,中频射频电源功率为80‑200W;步骤S2中真空度为10‑30mTorr,乙烯基三乙氧基硅烷气体流量为10‑60sccm,活性气体流量为80‑200sccm中频射频电源功率为80‑200W。本发明通过设置硅基纳米涂层的制备方法中的工艺参数,提高了真空仓室中离子态反应气体的浓度,提高了反应气体的反应速率和反应率,有利于反应气体聚合反应反应充分,降低了制备硅基纳米涂层的成本。
搜索关键词: 纳米 涂层 制备 方法 印制 电路板 组件
【主权项】:
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