[发明专利]一种利于提高散热性的氮化镓外延生长方法有效
| 申请号： | 202210100966.7 | 申请日： | 2022-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN114438595B | 公开（公告）日： | 2023-06-20 |
| 发明（设计）人： | 孔玮;杨军;马亚庆 | 申请（专利权）人： | 西湖大学 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B25/18 |
| 代理公司： | 成都行之智信知识产权代理有限公司 51256 | 代理人： | 李林 |
| 地址： | 310000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利于提高散热性的氮化镓外延生长方法，包括以下步骤：步骤1：取Cu(111)单晶作为衬底；步骤2：对衬底进行表面氮化处理；步骤3：在氮化处理后的衬底上，低温外延生长氮化镓缓冲层；步骤4：对缓冲层进行退火处理；步骤5：在退火处理后的缓冲层上，持续高温外延生长氮化镓单晶薄膜；步骤6：降温，获得氮化镓外延薄膜。本发明提供的利于提高散热性的氮化镓外延生长方法，解决了氮化镓器件中散热性差这一难题，有助于氮化镓在高频高功率场景下的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利于 提高 散热 氮化 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
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