[发明专利]三维芯片在审
申请号: | 202210101030.6 | 申请日: | 2022-01-27 |
公开(公告)号: | CN114497033A | 公开(公告)日: | 2022-05-13 |
发明(设计)人: | 顾东华;吴日新 | 申请(专利权)人: | 上海燧原科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/06 | 分类号: | H01L27/06;H01L27/108;H01L27/11;H01L27/22 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 王瑞云 |
地址: | 201306 上海市浦东新区中国(上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明实施例公开了一种三维芯片,所述三维芯片包括:至少两个功能芯片,所述至少两个功能芯片依次堆叠;每个所述功能芯片包括N个功能单元和与所述N个功能单元一一对应的N个连接单元,所述连接单元用于访问对应的所述功能单元;所述至少两个功能芯片中包含至少一个多路径功能芯片;在所述多路径功能芯片中,所述N个连接单元包含至少两个多路径连接单元,所述多路径连接单元配置为与至少一个其它的多路径连接单元通讯连接;相邻的两个功能芯片中,一个功能芯片中的连接单元与另一个功能芯片中的连接单元对应电连接;其中,N≥2。本发明实施例能够提高芯片的集成度,芯片间的多互联通道设计也能提高芯片良率。 | ||
搜索关键词: | 三维 芯片 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的