[发明专利]一种GaN HEMT的ASM模型直流参数提取方法在审
| 申请号： | 202210104833.7 | 申请日： | 2022-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN114462343A | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 雷玥;朱能勇;李翡 | 申请（专利权）人： | 北京华大九天科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/367 | 分类号： | G06F30/367;G06F30/373;G06F115/06 |
| 代理公司： | 北京德崇智捷知识产权代理有限公司 11467 | 代理人： | 王金双 |
| 地址： | 100102 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种GaN HEMT的ASM模型直流参数提取方法，其特征在于，包括以下步骤：1）给定器件的工艺参数；2）提取电容_电压关系曲线相关参数：通过逆导电容_漏电压曲线、输出电容_漏电压曲线、输入电容_漏电压曲线、栅极电容_栅电压曲线提取相关参数；3）提取电流_电压关系曲线相关参数：对关键部分漏极电流_漏电压曲线和漏极电流_栅电压曲线进行参数提取和用所有的漏极电流_漏电压曲线和漏极电流_栅电压曲线进行参数提取。本发明的GaN HEMT的ASM模型直流参数提取方法，能够降低参数提取次数，提高GaN HEMT的ASM模型直流参数提取效率和提取参数的准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan hemt asm 模型 直流 参数 提取 方法 | ||
【主权项】：
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