[发明专利]一种磁性隧道结阵列及其制备方法在审
| 申请号： | 202210106393.9 | 申请日： | 2022-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN116568120A | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 张云森;李辉辉;罗杰 | 申请（专利权）人： | 北京超弦存储器研究院 |
| 主分类号： | H10N50/10 | 分类号： | H10N50/10;H10N50/80;H10N50/01;H10B61/00 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 陈丹;张奎燕 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种磁性隧道结阵列及其制备方法，所述制备方法包括：S10：提供基底；S20：在基底上形成底电极层、磁性隧道结层和硬掩膜层；S30：对磁性隧道结层和硬掩膜层进行图案化；S40：使氰基自由基的前驱体气体在等离子体中形成氰基自由基，将氰基自由基与磁性隧道结层和硬掩膜层的材料进行化学反应和/或采用氰基自由基对磁性隧道结层和硬掩膜层的材料进行化学修饰，并采用惰性气体离子将化学反应产物和/或被化学修饰的材料和/或未发生化学反应并且未被化学修饰的磁性隧道结层和硬掩膜层的材料移除，得到磁性隧道结阵列。本申请的制备方法可以降低或者避免阴影效应问题，有利于MTJ的缩微化和制备高密度的MRAM存储器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁性 隧道 阵列 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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