[发明专利]一种红黄GaAs系LED芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 202210110241.6 | 申请日： | 2022-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN114551667A | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 窦志珍;兰晓雯;杨琦;贾钊;胡加辉;金从龙;顾伟 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;C30B25/02;C30B29/44;C30B31/22;H01L33/00;H01L33/10 |
| 代理公司： | 南昌旭瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 36150 | 代理人： | 刘红伟 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南*** | 国省代码： | 江西;36 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明提供了一种红黄GaAs系LED芯片及其制备方法，涉及芯片技术领域，该芯片包括：GaAs衬底；外延层，设于所述GaAs衬底的一侧表面；高掺GaP层，包括第一GaP层、第二GaP层以及依次设于所述第一GaP层与所述第二GaP层之间的多个过渡GaP层，所述第一GaP层设于所述外延层上远离所述GaAs衬底的一侧表面，所述第二GaP层设于所述过渡GaP层上远离所述第一GaP层的一侧表面，所述第二GaP层内注入有be离子；ODR全反射层，包括反射介质层及镜面金属层，所述反射介质层及镜面金属层依次设于所述第二GaP层上远离所述第一GaP层的一侧表面。本发明能够解决现有技术中作为介质层的SiO |
||
| 搜索关键词： | 一种 gaas led 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江西兆驰半导体有限公司，未经江西兆驰半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210110241.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
