[发明专利]三维存储器及其制造方法、存储器系统

摘要

本申请提供一种三维存储器及其制造方法、存储器系统，该制造方法包括：在衬底上形成包括交替堆叠的介质层和牺牲层的堆叠层，堆叠层包括具有多个阶梯台阶的台阶结构；以第一温度在多个阶梯台阶上形成至少一层缓冲层；以及在大于第一温度的第二温度下对缓冲层进行热处理，以形成刻蚀停止层。本申请制造方法形成的刻蚀停止层可增大字线接触部着陆窗口。此外，由于无需通过刻蚀工艺去除刻蚀停止层的位于阶梯台阶的侧壁的部分，从而阶梯台阶的形貌和牺牲层的膜层质量得到保证。