[发明专利]高速光电探测器的外延结构

摘要

本公开提供了一种高速光电探测器的外延结构，所述高速光电探测器的外延结构包括：在半绝缘衬底上依次生长的缓冲层、下阴极接触层、刻蚀阻挡层、上阴极接触层、饱和漂移层、崖层、过冲漂移层、下过渡层、本征耗尽吸收层、重掺梯度非耗尽吸收层、上过渡层、扩散阻挡层和阳极接触层，所述本征耗尽吸收层和所述重掺梯度非耗尽吸收层均采用与InP材料晶格匹配度高、对1550nm波长光子吸收效率高的In0.53Ga0.47As材料。