[发明专利]温压一体式MEMS传感器芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 202210111889.5 | 申请日： | 2022-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN114485797B | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 毕勤;刘晓宇 | 申请（专利权）人： | 无锡胜脉电子有限公司 |
| 主分类号： | G01D21/02 | 分类号： | G01D21/02;B81B7/02 |
| 代理公司： | 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211 | 代理人： | 张勇 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市新吴*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种温压一体式MEMS传感器芯片及其制备方法，属于敏感元件与传感器领域。本发明采用温压一体式的芯片结构，将温度传感器芯片和压力传感器芯片集成在同一芯片上，可以输出MEMS传感器芯片上的实际温度，并配合调理芯片对压力传感器芯片输出数据进行调理，避免了校准和温度补偿难度大的问题，从而精度更高；且相较于由温度传感器、MEMS压力传感器、ASIC调理芯片组成的温压一体式传感器部件，本发明具有集成度高的优点，将压力传感器和温度传感器集成到单一芯片，可以直接与ASIC调理芯片组合，形成传感器部件，相比于现有的额外增加温度传感器部件的方案，降低了结构的复杂度，减小了制备成本。 | ||
| 搜索关键词： | 温压一 体式 mems 传感器 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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