[发明专利]基于TSV硅转接基板堆叠的集成封装结构及制造方法在审
| 申请号： | 202210116516.7 | 申请日： | 2022-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN114496960A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 张辽辽;吴道伟;唐磊;刘建军;姚华 | 申请（专利权）人： | 西安微电子技术研究所 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L25/065;H01L25/18;H01L21/50;H01L21/60;H01L21/768 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 房鑫 |
| 地址： | 710065 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于TSV硅转接基板堆叠的集成封装结构及制造方法，属于集成电路封装技术领域，包括：TSV硅转接基板、TSV硅基腔体转接基板、转接基板间互连结构、TSV硅转接基板外接焊球、第一底部填充结构、第二底部填充结构、微电子芯片和芯片与转接板互连结构；TSV硅基腔体转接基板通过转接基板间互连结构与TSV硅转接基板连接，且微电子芯片通过芯片与转接板互连结构分别与二者连接，第一底部填充结构位于TSV微电子芯片与TSV硅转接基板中间，第二底部填充结构位于两基板中间，该多芯片集成封装结构，缩小了系统封装尺寸、提高了互联密度、缩短了互连距离、降低了传输延时、提高了带宽、提升了电源效率。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 tsv 转接 堆叠 集成 封装 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
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