[发明专利]包括成分渐变栅极电介质的薄膜晶体管及其形成方法在审
| 申请号： | 202210119369.9 | 申请日： | 2022-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN114639726A | 公开（公告）日： | 2022-06-17 |
| 发明（设计）人： | 蔡武卫;吕俊颉;陈海清;林佑明;杨世海 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 桑敏 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本申请提供了包括成分渐变栅极电介质的薄膜晶体管及其形成方法。薄膜晶体管可以通过以下步骤来制造：在衬底之上的绝缘层中形成栅极电极；在栅极电极和绝缘层之上形成栅极电介质；在栅极电极之上形成有源层；以及形成源极电极和漏极电极，源极电极和漏极电极与有源层的顶表面的相应部分接触。可以通过将氧原子引入到栅极电介质和有源层中的至少一者的表面区域中来增加栅极电介质和有源层中的相应一者中的表面氧浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 成分 渐变 栅极 电介质 薄膜晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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