[发明专利]离子注入系统在审
| 申请号： | 202210121547.1 | 申请日： | 2022-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN116613047A | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 陈炯;夏世伟;张劲;王占柱;张晓峰;陆天;洪俊华 | 申请（专利权）人： | 上海凯世通半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317;H01J37/08;H01J37/147;H01J37/244 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人： | 马涛;林嵩 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种离子注入系统，包括：位于束流均匀性调节装置下游的束流减速偏转能量过滤装置、第一路径选择光阑和第二路径选择光阑、硅片扫描装置，其中，束流减速偏转能量过滤装置用于使得由束流均匀性调节装置传输而来的束流沿直线被传输并经过第一路径选择光阑，以及用于使得由束流均匀性调节装置传输而来的束流被偏转第一角度并经过第二路径选择光阑；硅片扫描装置用于支承硅片并使得硅片在第一注入平面和第二注入平面中移动以及用于在第一注入平面和第二注入平面之间切换。通过偏转和不偏转束流，该离子注入系统可以提供两条具有不同能量的束流传输路径，扩大了离子注入的能量区间和注入应用范围。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 注入 系统 | ||
【主权项】：
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