[发明专利]用于存储器装置的划线结构在审
申请号: | 202210123766.3 | 申请日: | 2022-02-10 |
公开(公告)号: | CN115241182A | 公开(公告)日: | 2022-10-25 |
发明(设计)人: | 山口秀范;星野航;川北惠三 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L27/108;H01L21/311;H01L21/8242 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本申请案涉及一种用于存储器装置的划线结构。描述用于制造芯片的设备及方法。一种实例方法包含:移除芯片之间的切割区中覆盖层的第一部分及所述覆盖层的所述第一部分下方的至少一个电介质层以形成凹槽,且在所述切割区中形成包含所述覆盖层的第二部分及所述覆盖层的所述第二部分下方的所述至少一个电介质层的支撑结构;移除所述芯片中的一者中的所述覆盖层的第三部分及所述覆盖层的所述第三部分下方的所述至少一个电介质层的一部分以在第一芯片上形成孔;沉积导电层以覆盖所述覆盖层及所述孔;在所述孔中的所述导电层上形成导电柱;及移除所述覆盖层及所述孔的边缘表面上的所述导电层。 | ||
搜索关键词: | 用于 存储器 装置 划线 结构 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的