[发明专利]一种具有GaN电流通道的GaAs基激光器外延片及其制备方法在审
| 申请号： | 202210127574.X | 申请日： | 2022-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN114566868A | 公开（公告）日： | 2022-05-31 |
| 发明（设计）人： | 赵凯迪;张新;王朝旺 | 申请（专利权）人： | 山东华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22;H01S5/34;H01S5/343 |
| 代理公司： | 济南光启专利代理事务所(普通合伙) 37292 | 代理人： | 李晓平 |
| 地址： | 250101 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开一种具有GaN电流通道的GaAs基激光器外延片及其制备方法。所述GaN电流通道埋设在该外延片中的Alx3Ga1‑x3As上波导层中。通过在上波导层中埋入GaN电流通道，将电流限制在GaN电流通道中实现电流约束，因为GaN材料禁带宽度大，对于长波长的光吸收很低，不会影响长波长激光器的激射，有效克服了GaN激光器存在长时间工作会导致功率衰减严重的问题。另外，由于GaN材料的偏振系数与AlGaAs材料不同，在上波导层中埋入GaN电流通道后，能够在GaN/AlGaAs界面处形成一层正的极化电荷吸引自由电子形成补偿，与激光器的内建电场形成抵消，有利于空穴与电子在量子阱中的复合，提升激光器效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 gan 电流 通道 gaas 激光器 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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