[发明专利]单晶生长装置有效
| 申请号： | 202210136243.2 | 申请日： | 2022-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN114561693B | 公开（公告）日： | 2023-08-04 |
| 发明（设计）人： | 李远田;陈俊宏;吴亚娟 | 申请（专利权）人： | 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 吴婷 |
| 地址： | 221004 江苏省徐州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单晶生长装置，包括：外坩埚，外坩埚限定出生长腔，生长腔的顶壁设有籽晶；第一内坩埚，第一内坩埚设于生长腔内，且第一内坩埚与籽晶沿轴向相对布置，第一内坩埚的朝向籽晶的一端敞开，第一内坩埚的外侧壁与外坩埚的内侧壁间隔开以限定出气流通道，第一内坩埚用于盛放碳化硅原料；第二内坩埚，第二内坩埚在生长腔内且位于第一内坩埚的背离籽晶的一侧，第二内坩埚的朝向第一内坩埚的一端敞开，第二内坩埚适于盛放用于产生补偿气氛的硅料或用于产生掺杂气氛的掺杂剂，第二内坩埚适于在第一位置和第二位置之间移动以连通或隔断气流通道与第二内坩埚的内腔。根据本发明的单晶生长装置，可以提高碳化硅晶体生长过程的连续性。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 装置 | ||
【主权项】：
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