[发明专利]一种半导体元件及其制备方法在审
| 申请号： | 202210138070.8 | 申请日： | 2022-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN114497225A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 罗志云;王飞;潘梦瑜 | 申请（专利权）人： | 恒泰柯半导体（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/49;H01L29/45;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 苏舒音 |
| 地址： | 201210 上海市浦东新区中国（*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种半导体元件及其制备方法。半导体元件中，外延层远离衬底的一侧包括沟槽；氧化层位于沟槽内；栅极多晶硅层和源极多晶硅层均内嵌于氧化层中，栅极多晶硅层和源极多晶硅层之间以该氧化层隔开，氧化层至少暴露栅极多晶硅层的远离衬底的表面；体区和源区均形成于外延层的远离衬底的一端中，体区和源区均位于栅极多晶硅层的左右两侧，相对于源区而言体区位于源区靠近衬底的一侧；源极电极位于体区远离衬底的一侧并与源区电连接；源极多晶硅层与源极电极电连接，源极多晶硅层的掺杂离子的类型与栅极多晶硅层的掺杂离子的类型相反；据此减小了MOSFET在体二极管反向恢复时所需要的电荷总量，从而减小了漏源电压VDS尖峰。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 元件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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