[发明专利]一种碳化硅单晶衬底、制备方法及半导体器件在审
| 申请号： | 202210138486.X | 申请日： | 2022-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN114597117A | 公开（公告）日： | 2022-06-07 |
| 发明（设计）人： | 娄艳芳;刘春俊;王光明;姚静;雍庆;彭同华;杨建 | 申请（专利权）人： | 北京天科合达半导体股份有限公司;新疆天科合达蓝光半导体有限公司;江苏天科合达半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/04;C30B23/02;C30B29/36;C30B33/02;B24B37/00;B28D5/04 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李海建 |
| 地址： | 102600 北京市大兴区中关村科技*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅单晶衬底，包括第一表面和第二表面，所述第一表面包括钉扎区和制件区，所述钉扎区为人工设置的势阱，以将所述钉扎区周围区域的位错集中于所述钉扎区，所述第一表面上设置多个所述钉扎区；所述制件区用于制作半导体器件，所述制件区周围设置有所述钉扎区，以使得所述制件区中心区域的位错密度小于边缘区域。本发明提供的碳化硅单晶衬底，在制件区周围设置钉扎区，以将制件区上的位错集中在制件区边缘，从而使制件区中心区域的位错密度降低，并使用制件区中心区域来制作半导体器件的有效区域，即半导体器件上施加电压的区域，可以显著降低有效区域的位错密度，降低有效区域的失效概率，提高半导体器件的良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 衬底 制备 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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