[发明专利]红外焦平面器件芯片及制备方法、读出电路及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202210139154.3 申请日: 2022-02-15
公开(公告)号: CN114664974B 公开(公告)日: 2023-10-27
发明(设计)人: 亢喆 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第十一研究所
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/02;H01L31/0203;H01L31/0224
代理公司: 工业和信息化部电子专利中心 11010 代理人: 张然
地址: 100015*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种红外焦平面器件芯片及制备方法、读出电路及其制备方法,本发明通过在红外焦平面器件芯片上设置像元结构,由于本发明的像元结构是完全独立的,所以其不会在低温工作时产生张应力现象,所以本发明可以有效避免红外混成芯片易发生翘曲形变的问题,同时本发明还能够通过异质(填充物或真空环境)的有效隔离,以避免像元间载流子的横向迁移,从而避免串音现象的发生。
搜索关键词: 红外 平面 器件 芯片 制备 方法 读出 电路 及其
【主权项】:
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