[发明专利]一种提高NVM擦写效率的方法有效
| 申请号： | 202210140090.9 | 申请日： | 2022-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN114510198B | 公开（公告）日： | 2023-06-30 |
| 发明（设计）人： | 何迪 | 申请（专利权）人： | 北京中电华大电子设计有限责任公司 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 102209 北京市昌平区北七家镇未*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出一种提高NVM擦写效率的方法，该方法除使用一般的缓存机制缓存待写入数据之外，还加入了LRU算法用于优化CACHE中的页面置换方法，使得频繁更新的数据能够一直存储在CACHE中，加快写的效率，同时频繁更新的数据在修改时也不用每次都从NVM中读取，进一步加快写的效率。本发明主要解决NVM存储的寿命问题以及更新数据的效率问题，通过间接减少NVM的擦写次数来提高NVM的寿命，同时通过减少NVM的读的次数提高整体写性能与功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 nvm 擦写 效率 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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