[发明专利]一种基于MoS2

摘要

本发明公开了一种基于MoS2上的InN纳米柱及其制备方法与应用。该复合结构包括Si衬底、生长在Si衬底上的MoS2基底、MoS2基底上生长的InN纳米柱。本发明制备的基于MoS2上的InN纳米柱，MoS2边缘活性位点数目多，能增强InN纳米柱光生载流子分离与转移效率，能显著提高InN纳米柱的光电转换效率；同时，该制备方法工艺简单、成本低，为其它半导体复合催化材料的制备提供了一种新型的思路。最后，本发明公开的基于MoS2上的InN纳米柱具有较大的比表面积，对太阳光有较强的吸收，适用于光电解水产氢。