[发明专利]一种晶体生长气泡消除装置及消除晶体生长气泡的方法有效

专利信息
申请号: 202210151701.X 申请日: 2022-02-18
公开(公告)号: CN114411235B 公开(公告)日: 2023-10-03
发明(设计)人: 郑国宗;胡子钰;林秀钦;李静雯;李鹏飞 申请(专利权)人: 闽都创新实验室;中国科学院福建物质结构研究所
主分类号: C30B7/08 分类号: C30B7/08;C30B29/14
代理公司: 北京元周律知识产权代理有限公司 11540 代理人: 毛薇
地址: 350108 福建省福州市*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 本申请公开了一种晶体生长气泡消除装置及消除晶体生长气泡的方法,属于晶体生长技术领域。一种晶体生长气泡消除装置,包括晶体生长槽、载晶架、电机、连接轴和旋转式扇叶;所述载晶架在晶体生长槽内;所述电机在晶体生长槽外;所述载晶架具有空心轴;所述连接轴穿过空心轴;所述连接轴和旋转式扇叶铰接;所述电机通过连接轴驱动旋转式扇叶旋转。本发明在不影响溶液稳定性的情况下达到消除载晶架表面气泡的目的,节省晶体生长前的准备时间,有效提高晶体生长的成功率。
搜索关键词: 一种 晶体生长 气泡 消除 装置 方法
【主权项】:
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