[发明专利]一种基于等离子体增强效应的低功耗全光相变存储器在审
| 申请号： | 202210156877.4 | 申请日： | 2022-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN114665011A | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 吕业刚;孙伟 | 申请（专利权）人： | 宁波大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 宁波奥圣专利代理有限公司 33226 | 代理人： | 何仲 |
| 地址： | 315211 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种基于等离子体增强效应的低功耗全光相变存储器，包括硅基平面光波导，特点是波导上设置有可在波导倏逝场耦合作用下发生晶态至非晶态的可逆相变的相变圆环结构，相变圆环结构卡嵌在金属圆盘和金属圆环之间，相变圆环结构、金属圆盘和金属圆环形成的同心圆结构整体位于波导上表面或者半嵌入波导中或者完全嵌入到波导中，相变圆环结构为相变层Ge |
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| 搜索关键词： | 一种 基于 等离子体 增强 效应 功耗 相变 存储器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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