[发明专利]一种退火处理的Si基InN纳米柱异质结及其制备方法与应用在审
| 申请号： | 202210162088.1 | 申请日： | 2022-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN114657641A | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 李国强;刘乾湖;谢少华;梁杰辉 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B33/02;C30B25/02;C25B11/052;C25B11/059;C25B11/087;C25B1/04;C25B1/55;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 钟燕琼 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种退火处理的Si基InN纳米柱异质结及其制备方法与应用。该制备方法包括以下步骤：(1)采用分子束外延生长工艺，在Si衬底上生长InN纳米柱；(2)将步骤(1)所得InN纳米柱进行退火处理，得到Si基InN纳米柱异质结；所述退火的氛围为N |
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| 搜索关键词： | 一种 退火 处理 si inn 纳米 柱异质结 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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