[发明专利]一种以有机二维共轭对称性高分子作为活性层的纳米神经形态器件及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202210163414.0 | 申请日： | 2022-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN114709329A | 公开（公告）日： | 2022-07-05 |
| 发明（设计）人： | 赵可嘉;李金勇;张琼珊;张斌 | 申请（专利权）人： | 华东理工大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;C08G61/12;G01B21/20;G01R31/26 |
| 代理公司： | 上海三和万国知识产权代理事务所(普通合伙) 31230 | 代理人： | 任艳霞 |
| 地址： | 200237 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于有机/高分子神经形态器件领域，具体提供了一种以有机二维共轭对称性高分子作为活性层的纳米神经形态器件及其制备方法和应用。该纳米级器件通过电子束光刻技术和剥离方法以8×8交叉开关阵列的形式制造，字线和位线的宽度分别为100nm和200nm，为极小的纳米级结构。此器件以最小化和低电势实现了聚合物忆阻器创纪录的高产量，同时在20～40ns内快速响应，D2D的变异幅度低于10％，器件良品率高于90％，并且此器件可达到50～100nm规模，功耗低于20J/bit。该聚合物忆阻器阵列能实现存算一体化，可用于信息存储，在人工智能领域具有优异的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 有机 二维 共轭 对称性 高分子 作为 活性 纳米 神经 形态 器件 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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