[发明专利]一种磷化铟晶片及其制备方法在审
| 申请号： | 202210164144.5 | 申请日： | 2022-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN114211389A | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 王亚坤;李海淼 | 申请（专利权）人： | 北京通美晶体技术股份有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/04 | 分类号： | B24B37/04;B24B37/10;B24B37/005;B24B49/00;H01L21/02;C10M173/02;C09K3/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 101149 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请涉及半导体材料的领域，尤其涉及一种磷化铟晶片及其制备方法，磷化铟晶片制备方法包括如下操作步骤：S1、将磷化铟晶体表面涂覆一层保护液，切割成磷化铟晶片，切割完成后去除保护液；S2、将步骤S1处理后的磷化铟晶片依次进行粗研磨和细研磨；S3、将研磨后的磷化铟晶片进行减薄处理；S4、利用抛光液对减薄处理后的磷化铟晶片进行化学机械抛光，抛光液中包括氧化剂和磨料，化学机械抛光依次包括粗抛光和精抛光；S5、将化学机械抛光后的磷化铟晶片进行清洗，即得成品磷化铟晶片。采用本申请的方法制备磷化铟晶片，可降低磷化铟晶片的表面粗糙度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磷化 晶片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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