[发明专利]基于半金属材料光致反常能斯特效应的太赫兹发射技术

摘要

本发明公开了一种基于半金属材料的光致反常能斯特效应的太赫兹发射技术。本发明采用同时具有超快载流子动力学特性和较强能斯特热电响应的半金属材料，在脉冲光照产生的瞬态温度梯度作用下，由于材料本身的磁性、非零贝里曲率或者由于磁异质结构在半金属中诱导产生近邻磁化等效应而产生光致反常能斯特电流，以此辐射太赫兹波。这一太赫兹发射技术的器件结构和工艺方法简单，不需施加外场工作，使用方便，太赫兹发射调制灵活。太赫兹发射是太赫兹技术的关键之一，基于半金属材料的光致反常能斯特效应的太赫兹发射技术的上述优点将在保证太赫兹发射性能的前提条件下显著降低超快太赫兹发射器件的成本，推动太赫兹的研究与应用。